制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:ThroughHole
封装/箱体:TO-220-3
通道数量:1Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:80V
Id-连续漏极电流:110A
RdsOn-漏源导通电阻:6.5mOhms
Vgsth-栅源极阈值电压:2.5V
Vgs-栅极-源极电压:10V
Qg-栅极电荷:150nC
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+175C
配置:Single
Pd-功率耗散:200W
通道模式:Enhancement
高度:15.75mm
长度:10.4mm
晶体管类型:1N-ChannelPowerMOSFET
宽度:4.6mm
商标:STMicroelectronics
下降时间:48ns
产品类型:MOSFET
上升时间:61ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:162ns
典型接通延迟时间:24ns
单位重量:330mg
