深圳市铭昌源科技有限公司
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规格
产品属性属性值搜索类似
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:ThroughHole
封装/箱体:TO-220-3
通道数量:1Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600V
Id-连续漏极电流:11A
RdsOn-漏源导通电阻:380mOhms
Vgs-栅极-源极电压:20V
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
配置:Single
Pd-功率耗散:125W
通道模式:Enhancement
商标名:CoolMOS
封装:Tube
高度:15.65mm
长度:10mm
系列:CoolMOSC3
晶体管类型:1N-Channel
宽度:4.4mm
商标:InfineonTechnologies
下降时间:5ns
产品类型:MOSFET
上升时间:5ns
工厂包装数量:500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:44ns
典型接通延迟时间:10ns
零件号别名:SP000013526SPP11N60C3HKSA1SPP11N6C3XK
单位重量:6g
应用优势
1、场效应晶体管是电压控制元件,而双极结型晶体管是电流控制元件。在只允许从取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用双极晶体管。
2、有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比双极晶体管好。
3、场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而双极结型晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。因此被称之为双极型器件。
4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
MOSFET在1960年由贝尔实验室(BellLab.)的D.Kahng和MartinAtalla首次实作成功,这种元件的操作原理和1947年萧克莱(WilliamShockley)等人发明的双载流子结型晶体管(BipolarJunctionTransistor,BJT)截然不同,且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势,在大型集成电路(Large-ScaleIntegratedCircuits,LSI)或是超大型集成电路(VeryLarge-ScaleIntegratedCircuits,VLSI)的领域里,重要性远超过BJT。
由于MOSFET元件的性能逐渐提升,除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位信号处理的场合上,也有越来越多模拟信号处理的集成电路可以用MOSFET来实现,以下分别介绍这些应用。