深圳市铭昌源科技有限公司
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参数：
规格
产品属性属性值搜索类似
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:PowerFLAT-5x6-8
通道数量:2Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60V
Id-连续漏极电流:57A
RdsOn-漏源导通电阻:11mOhms
Vgsth-栅源极阈值电压:2V
Vgs-栅极-源极电压:20V
Qg-栅极电荷:17nC
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+175C
配置:Dual
Pd-功率耗散:62.5W
通道模式:Enhancement
封装:Reel
晶体管类型:2N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:8ns
产品类型:MOSFET
上升时间:15.3ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:19.4ns
典型接通延迟时间:14.5ns
