制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TO-263-3
通道数量:1Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650V
Id-连续漏极电流:29A
RdsOn-漏源导通电阻:110mOhms
Vgsth-栅源极阈值电压:4V
Vgs-栅极-源极电压:25V
Qg-栅极电荷:80.4nC
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
配置:Single
Pd-功率耗散:190W
资格:AEC-Q100
封装:Reel
系列:STW36NM60N
晶体管类型:1N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:61.8ns
产品类型:MOSFET
上升时间:53.4ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:111ns
典型接通延迟时间:30ns
单位重量:4g
