标准包装 2,500

包装 标准卷带

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 NexFET™

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.3 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.9V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 22.2nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1590pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.2W（Ta），37W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-VSONP（3x3.15）

封装/外壳 8-PowerVDFN

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