SD6802S是一款单级原边控制高功率因数LED驱动电路,内置650V高压功率
MOSFET,主要应用于反激式LED照明系统。它采用固定导通时间控制来实现高功率因数。SD6802S能够提供精确的恒流控制,工作在临界导通模式,具有非常高的效率。它工作在原边控制模式,可以省去光耦、次级反馈 控制以及环路补偿,简化设计,降低成本。SD6802S带有完整的保护功能,例如LED短路保护,LED开路保护,过温保护,等等。
主要特点:
1、原边控制反激系统
2、临界导通模式
3、低启动电流
4、内置650V高压功率MOSFET
5、前沿消隐
6、固定导通时间控制
7、VCC过压保护
8、VCC欠压锁定
9、过温保护
10、逐周期限流
11、峰值电流补偿
12、LED短路保护和LED开路保护
应用:
1、LED灯泡
2、AC输入LED照明
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近日,东芝存储器(Toshiba Memory Corp,简称TMC)在日本东北部地区岩手县北上市举行了首个半导体晶圆制造厂K1的奠基仪式。该工厂计划于2019年秋季竣工,专门从事3D闪存的生产。
随着市场对企业服务器、数据中心和智能手机需求的快速增长,3D闪存需求也随之显著增加。TMC预测,从中长期来看,这种强劲增长的势头将得以保持,建设这座新晶圆厂将提升其在存储领域的竞争实力。
据介绍,这座新工厂将成为东芝最大、最先进的闪存工厂。该工厂采用可吸收地震震动的隔震结构建造,并将引进先进的生产系统,使用人工智能技术来提高生产效率。新工厂将根据市场趋势制定设备投资、产能和生产计划方面的决策,以获得更强的市场竞争力。
TMC预计将与西部数据进行商谈,希望对新工厂进行联合投资。
尽管西部数据在东芝旗下芯片部门出售过程中从中作梗,但最终双方签署全球和解协议,承诺重新构建并强化合作关系。在发布和解协议公告时,就有消息表示,东芝将允许西部数据参与到东芝位于日本岩手的新闪存晶圆工厂的投资之中。如今,TMC的表态,再次说明东芝与西部数据的合作正常推进。
目前,东芝闪存主力工厂是Fab 6,位于三重县四日市,西部数据有参与合作。Fab6一期工程将在今年开始运营,将有助于增加BICS 3D NAND供应量,二期工程将于2019年上线启用。
据悉,K1工厂初期建设投资70亿日元设备安装完成后将在2020年底投产,未来将成为Fab 2和Fab 6的有力补充,但是其产能情况目前还不得而知。