制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 详细信息
系列: BFP740
晶体管类型: Bipolar
技术: SiGe
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 160
集电极—发射极最大电压 VCEO: 4 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 1.2 V
集电极连续电流: 30 mA
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作频率: 42 GHz
类型: RF Silicon Germanium
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 160 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: BFP740H6327XTSA1 BFP74H6327XT SP000750414
单位重量: 1.870 mg
