FQPF5N60C 600V4.5A N沟道 功率MOS管 ON安森美 TO220F 场效应管
一般信息
数据列表 FQP5N60C, FQPF5N60C;
标准包装 1,000
包装 管件
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 QFET®
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.5 欧姆 @ 2.25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 19nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 670pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 33W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220F
封装/外壳 TO-220-3 整包
深圳市轩嘉盛电子有限公司
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