型号：SI7121DN-T1-GE3
品牌：Vishay Semiconductors
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P 通道
封装：Reel/卷盘
下降时间：9 ns, 15 ns
最小工作温度：- 55 C
功率耗散：3.7 W
上升时间：13 ns, 100 ns
系列：SI7121DN
汲极/源极击穿电压：- 30 V
闸/源击穿电压：+/- 25 V
漏极连续电流：10.6 A
导通电阻：18 mOhms
最大工作温度：+ 150 C
安装风格：SMD/SMT/贴片
供应商标准封装：PowerPAK 1212-8
工厂包装数量：3000
典型关闭延迟时间：32 ns, 28 ns
零件号别名：SI7121DN-GE3
价格： 面议
数量：18960
备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应晶体管MOSFET SI7121DN-T1-GE3
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