一般信息
数据列表 IRF(B,S,SL)38N20DPbF;
标准包装 1,000
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 91nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），300W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 54 毫欧 @ 26A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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