产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-Clip-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 10.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 0.9 V
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Qg-栅极电荷: 3.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single Triple Source Quad Drain
Pd-功率耗散: 28 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 3.3 mm
系列: CSD17308Q3
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
宽度: 3.3 mm
商标: Texas Instruments
开发套件: BQ500211AEVM-210
下降时间: 2.3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5.7 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 9.9 ns
典型接通延迟时间: 4.5 ns
单位重量: 41 mg
