制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 4.25 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
技术: Si
增益: 18.8 dB
输出功率: 60 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-360
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 945 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Advanced Semiconductor, Inc.
正向跨导 - 最小值: 3 S
Pd-功率耗散: 117 W
Vgs - 栅极-源极电压: 15 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.8 V
单位重量: 1 g
