数据列表 AO4886;_
SO8 Pkg Drawing;_
标准包装 3，000
包装 标准卷带
零件状态 停產
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 -
规格
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.3A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 80 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 942pF @ 50V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
