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TAJC684M050RNJ

2025-8-6 14:01:00
  • TAJC684M050RNJ

TAJC684M050RNJ_TAJC684M050RNJ导读

今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管:NCE3401。

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TAJE477K006RNJ

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

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TAJD477K004RNJ

PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同,只是电源极性相反而已。MOS集成电路包括: NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。

1、P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V 如果S为2.8V,G为2.8V,VGSw 那么mos管不导通,D为0V,所以,如果2.8V连接到S,要mos管导通为系统供电,系统连接到D,利用G控制。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V,那么GPIO高电平的时候为1.8V,GS为1.8-2.8=-1V,mos管导通,不能够关断。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使mos管关断,低电平使mos管导通。 GPIO为低电平的时候,假如0.1V,那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

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NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。

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