FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 75V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 80A
Rds（最大）@ ID，VGS 9 mOhm @ 46A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 4V @ 100µA
栅极电荷（Qg）@ VGS 84nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 3070pF @ 50V
功率 - 最大 140W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3D2PAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 75 V
最大连续漏极电流 80 A
RDS -于 9@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 16 ns
典型上升时间 110 ns
典型关闭延迟时间 43 ns
典型下降时间 96 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 80A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 4V @ 100µA
漏极至源极电压（Vdss） 75V
供应商设备封装 D2PAK
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 9 mOhm @ 46A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 140W
输入电容（Ciss ） @ VDS 3070pF @ 50V
其他名称 IRFS3607TRLPBFTR
闸电荷（Qg ） @ VGS 84nC @ 10V
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 800
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 80 A
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 140 W
封装/外壳 D2PAK
漏源击穿电压 75 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 56 nC
漏极电流（最大值） 80 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） �20 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.009 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 D2PAK
引脚数 2 +Tab
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 75 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
主营集成芯片二三极管，专业工厂配单 配套范围:集成电路ic 二三极管 电容电阻电感 晶振 LED 万用板 排针 排母 连接器接插件 XH、VH、PH系列 微动开关按键开关 FPC软排线 DC插座 USB 杜邦线等电子元件物料
联系人：马秋生
QQ :2355705596
电话：0755-83677682
传真：0755-83759885
地址：深圳市福田区佳和华强大厦A座2101
