标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 400V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 5.7A
Rds（最大）@ ID，VGS 550 mOhm @ 3.4A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS 39nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 1100pF @ 25V
功率 - 最大 40W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
供应商器件封装 TO-220-3
包装材料 Tube
包装 3TO-220 Full-Pak
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 400 V
最大连续漏极电流 5.7 A
RDS -于 550@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 11 ns
典型上升时间 31 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型下降时间 20 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±30
包装宽度 4.83(Max)
PCB 3
最大功率耗散 40000
最大漏源电压 400
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 550@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220 Full-Pak
标准包装名称 TO-220 Full-Pak
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 10.63(Max)
引脚数 3
包装高度 16.12(Max)
最大连续漏极电流 5.7
标签 Tab
铅形状 Through Hole
单位包 50
最小起订量 1000
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 5.7A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 4V @ 250µA
供应商设备封装 TO-220-3
其他名称 *IRFI740GLCPBF
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 550 mOhm @ 3.4A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 40W
漏极至源极电压（Vdss） 400V
输入电容（Ciss ） @ VDS 1100pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS 39nC @ 10V
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 30 V
连续漏极电流 5.7 A
正向跨导 - 闵 3 S
安装风格 Through Hole
RDS（ON） 550 mOhms
功率耗散 40 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 TO-220 Full-Pak
上升时间 31 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 400 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
下降时间 20 ns
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