MJE15034G 晶体管类型 NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 4A
电压 - 集射极击穿（最大值） 350V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值） 10µA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 10 @ 2A，5V
功率 - 最大值 2W
频率 - 跃迁 30MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
MJE15035G 晶体管类型 PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 4A
电压 - 集射极击穿（最大值） 350V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值） 10µA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 10 @ 2A，5V
功率 - 最大值 2W
频率 - 跃迁 30MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
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