型号:IRLML2402TRPBF
漏源电压:20V
厂商:IR
批号:17+
封装:SOT-23
数量:10000
FET 类型:N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.9nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大) @ Vgs 4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF
功率耗散(最大值) 540mW(Ta)
2017年,涨价通知到处飞,电容电阻到IC零件,全面涨价,包括欧美日:英飞凌(IR)、TI、安森美(飞兆)、瑞萨、意法半导体、ADI、东芝、Vishay、ABB、AOS、恩智浦、IXYS、罗姆、富士电机、Danfoss、Starpower、三菱电机、Microsemi、NXP。
台湾:UTC(友顺)、CET(华瑞股份公司)、ANPEC(茂达)、NIKO-SEMI(尼克松微);大陆:CRRC中车、士兰微、比亚迪微电子、光宇睿芯、芯朋微电子、乐山无线、韦尔半导体、上海先进等。
国产IGBT还有很长的路要走,随着中国和马来西亚代工厂的加入,功率MOSFET制造和销售的企业数量将会增加,器件价格也会逐渐下降。
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授权代理产品线 IR(国际整流器) AOS(美国万代) TI(德州仪器) MAXIM(美信)
备货系列有:IRLML 2402 2502 6302 6401 2246 2244 等..
AO 3400 3401 3402 4403 4405 4409 4606 4801 等...
LM 2576 2596 3409 2575 TL 431 432 TPS系列 等...
MAX 202 3232 3221 485 487 490 3485 232 660 等...
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