高电压、大电流达林顿晶体管阵列
晶体管类型：7 NPN 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：1.6V @ 500μA，350mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
大电流驱动/ULN2003ADR 高电压、大电流达林顿晶体管阵列
2020-9-9 8:24:00
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大电流驱动/ULN2003ADR 高电压、大电流达林顿晶体管阵列
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