深圳市汇创佳电子科技有限公司 0755-852545498 13538016218 QQ：531398920朱先生
数据列表 SPP/SPI/SPA15N60C3
标准包装 500
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 CoolMOS™
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V 675µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 63nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大） Vgs 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1660pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） Vds 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 34W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 280 毫欧 9.4A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
