供应商设备封装 8-SOIC N
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 4.5 mOhm @ 15A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 6W
漏极至源极电压（Vdss） 40V
输入电容（Ciss ） @ VDS 4200pF @ 20V
闸电荷（Qg ） @ VGS 95nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI4122DY-T1-GE3CT
工厂包装数量 2500
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single Quad Drain Triple Source
源极击穿电压 +/- 25 V
连续漏极电流 19.2 A
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 4.5 mOhms
功率耗散 3 W
最低工作温度 - 55 C
零件号别名 SI4122DY-GE3
上升时间 34 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 40 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 28 ns
栅源电压（最大值） �25 V
漏源导通电阻 0.0045 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOIC N
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 40 V
弧度硬化 No
主营集成芯片二三极管，专业工厂配单 配套范围:集成电路ic 二三极管 电容电阻电感 晶振 LED 万用板 排针 排母 连接器接插件 XH、VH、PH系列 微动开关按键开关 FPC软排线 DC插座 USB 杜邦线等电子元件物料
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