IXTQ82N25P FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 82A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 142nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 41A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3P
封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3
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