型号：SI5853DC-T1-E3
品牌：VISHAY/威世半导体
产品描述：分立半导体产品
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)： 20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 2.7A （Ta）
功率 最大值： 1.1W
标准包装： 2500
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 单 MOS 晶体管
包装类型： 剪切带 (CT)/REEL
安装类型： 表面贴装/SMT
封装尺寸： 8-SMD，扁平引线
供应商器件标准封装： 1206-8
单价：面议
其他名称：
SI5853DCT1E3
SI5853DC-T1-E3CT
单价：面议
数量：18960
备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应集成电路（IC）SI5853DC-T1-E3晶体管MOS管
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