产品种类: MOSFET
制造商: NXP
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
Id-连续漏极电流: 26 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
商标: NXP Semiconductors
下降时间: 70 us
Pd-功率耗散: 75 W
上升时间: 75 us
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 60 us
典型接通延迟时间: 17 us
单位重量: 2.240 g
