BF909WR资料
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: NXP
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管极性: Dual N-Channel
Id-连续漏极电流: 40 mA, 40 mA
Vds-漏源极击穿电压: 7 V, 7 V
Rds On-漏源导通电阻: -
技术: Si
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343R-4
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
配置: Dual
高度: 1.1 mm
长度: 2.2 mm
最小工作温度: - 65 C
Pd-功率耗散: 280 mW
工厂包装数量: 3000
类型: RF Small Signal MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 15 V, 15 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 1.2 V
宽度: 1.35 mm
零件号别名: BF909WR T/R
单位重量: 6 mg
