TPCA8023-H资料
制造商 Toshiba
数据列表 Mosfets Prod Guide;
TPCA8023-H;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
库存 12500
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2150pF @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta），30W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 12.9 毫欧 @ 11A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳 8-PowerVDFN
