HMC349AMS8GETR 资料
生产商 HITTITE
批号 201615
HMC_A/B Process FIT Test Report;
标准包装 500
包装 标准卷带
类别 射频/IF 和 RFID
产品族 RF 开关
库存 6500
频率 - 下 DC
隔离 @ 频率 50dB @ 3GHz（标准）
插损 @ 频率 1.2dB @ 3GHz
IIP3 53dBm（标准）
拓扑 -
电路 SPDT
P1dB 34dBm
特性 -
阻抗 50 欧姆
工作温度 -40°C ~ 85°C
电压 - 电源 5V
RF 类型 通用
封装/外壳 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装 8-MSG
美光科技于今日在总部举办活动，庆祝扩建的新厂投入运转。这一工厂在公司研究未来具有突破性的全
新内存和存储技术的过程中将扮演重要角色。在新设施配备完善后，美光在博伊西的研发专用无尘室的
空间将增加近一倍，并将为公司整体研发能力的扩展提供重要支持。
这座位于博伊西的扩建研发厂对于美光开发新的半导体制造工艺和设计，满足该公司未来的存储和内存
技术需求至关重要。在博伊西研发中心研发出的各种工艺随后会转至美光位于全球的 12 个大型制造工
厂进行量产。
为纪念这一重要时刻，美光科技总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra和技术开发执行副总裁 Scott
DeBoer带领公众代表和政要参观了新工厂。
“打造世界上最先进的半导体是一个非常复杂的过程。”Mehrotra说，“我们在爱达荷州有一支行业顶尖
的科学家和工程师团队，他们所做的工作将会帮助塑造未来的技术、产品和解决方案，包括未来的手机、
汽车和数据中心，并推动正在快速崛起的人工智能和大数据分析等新兴技术。今天，博伊西研发无尘室
的落成标志着我们在博伊西的创新能力将得到大幅提升。”
该新的无尘工厂于2015年10月动工，旨在打造一个更大规模的无污染、可精确控制的研发环境，利用
美光科技多年来的精深技术专长和创新能力，开发和制造先进的存储集成电路。建造该工厂需要24000
立方码的混凝土，相当于让一辆混凝土车连续不间断地工作100天。这座先进的研发中心还使用了
1000万磅钢筋，光是建筑物内就铺设了240英里长的线缆，这一长度足以连接到国际空间站。
博伊西的研发厂处于美光全球创新网络的核心位置，本次规模扩张将有助于加快新一代DRAM、NAND
和新兴内存技术的开发速度。
DeBoer特别指出，美光的尖端DRAM 技术(1Ynm)已经从博伊西的研发中心转入美光位于日本广岛的
制造工厂。在过去一年里，研发团队还在博伊西成功完成了64层 3D NAND的开发过程，并将该技术从
最初在博伊西的开发转入了美光在新加坡的工厂实现量产。
