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类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 OptiMOS™
其它名称 IPT020N10N3
IPT020N10N3ATMA1TR
SP001100160
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 272µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 156nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11200pF @ 50V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 375W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2毫欧 @ 150A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-HSOF-8-1
封装/外壳 8-PowerSFN
