产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: NXP
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 110 V
技术: Si
增益: 25 dB
输出功率: 150 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-272 WB EP
封装: Reel
商标: NXP / Freescale
通道模式: Enhancement
配置: Single Dual Drain Dual Gate
高度: 2.64 mm
长度: 23.67 mm
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 220 MHz
系列: MRF6V2150N
工厂包装数量: 500
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: - 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.62 V
宽度: 9.07 mm
单位重量: 2 g
