制造商： ON Semiconductor 最小包装量： 1PCS
封装： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 包装： Tape&Reel
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
参数 数值
系列 -
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
功率 - 最大值 2.4W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1700pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 32nC @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 28 mOhm @ 22.5A, 5V
FET 功能 Logic Level Gate
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
漏源极电压 (Vdss) 60V
一般信息
数据列表 NTP, NTB45N06L;
标准包装 800
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
其它名称 NTB45N06LT4GOS
NTB45N06LT4GOS-ND
NTB45N06LT4GOSTR
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 45A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 25V
Vgs（最大值） ±15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.4W（Ta），125W（Tj）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 28 毫欧 @ 22.5A，5V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
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