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概要说明：
双组闪存- 并行操作，从内存中读取1而擦除和写入等。在-应用程序阳离子编程（IAP）的远程更新- 大128 K字节或256 K字节主Flash内存的应用程序代码，运行系统，或用于图形用户界面的位图- 大32 K字节第二Flash存储器的二vided小部门。消除外部EE-PROM软件EEPROM仿真- 第二Flash存储器是足够大的先进的通信协议（ USB ）IAP期间同时继续关键系统任务。大型SRAM与电池备份选项- 8 K字节的SRAM用于RTOS ，高层次languag-ES ，通信缓冲区和栈s可编程解码PLD灵活的地址所有的回忆映射- 将个人的闪存和SRAM领域的任何地址的边界- 内置页寄存器打破限制803264 KB的地址空间限制- 特殊寄存器交换闪存段与8032 “方案”的空间和ments“数据”空间效率在应用亲编程。高速时钟标准8032芯（ 12循环）- 40 MHz的5 V工作电压， 24 MHz的3.3 V- 两个UART，具有独立的波特率，3个16位定时器/计数器和两个外部中断。
功能摘要：
s该µPSD3200家族结合了闪存PSD架构，具有8032微控制器内核该µPSD3200系列闪存月台幕门的特点Flash存储器， SRAM ，一般银行的双通用I / O和可编程逻辑， supervi-索里的功能，并通过USB连接，我2C， ADC ，DDC和PWM通道，以及一个板上8032微控制器内核，具有两个UART ，3个16位定时器/计数器和一个外部中断。至于与其他Flash PSD家庭，µPSD3200家庭也是在系统编程梅布尔（ ISP）通过JTAG ISP接口。大8 K字节的SRAM与备用电池选项双组闪存- 128 K字节或256 K字节主Flash存储器- 32 K字节第二Flash存储器s图1.套餐ssTQFP52 （ T）内容安全- 阻止访问闪存可编程解码PLD灵活的地址所有的回忆映射。高速时钟标准8032芯（ 12循环）USB接口（ μPSD3234A - 40U6只）I2C接口的外设连接五脉宽调制器（ PWM）通道独立的显示数据通道（ DDC）的6个I / O端口有多达50个I / O引脚有16个宏单元3000门的PLD监控器功能在系统通过JTAG编程（ISP ）零功耗技术单电源电压= 4.5〜 5.5 V= 3.0〜 3.6 V
