FDD6630A TO-252 代理仙童 30V/21A 功率MOS管 PDF资料 原装正品
FDD6630A型号 FDD6630A品牌 FDD6630A封装 FDD6630A年份 FDD6630A备注
FDD6630A 仙童 TO-252 16+ 原装正品
AOD417 AOS/万代 30V/25A TO-252 PDF资料 功率MOS管 场效应管 原装
FDD6630A的PDF资料：
FDD6630A的特征：
21 A，30 V
RDS（ON）= 35mΩ@ VGS = 10 V
RDS（ON）= 50mΩ@ VGS = 4.5 V
低栅极电荷（5nC典型值）
快速切换
高性能沟槽技术，极低的RDS（ON）
FDD6630A的概述：
该N沟道MOSFET专门设计用于提高
使用同步或常规开关PWM控制器的DC / DC转换器的整体效率。
它已经针对低栅极电荷，
低RDS（ON）和快速开关速度进行了优化。
This N-Channel MOSFET has been designed specifically
to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either
synchronous or conventional switching PWM controllers.
It has been optimized for low gate charge, low RDS( ON) and fast switching speed.
FDD6630A的绝对最大额定值TA = 25oC，除非另有说明
FDD6630A的热特性：
FDD6630A的封装说明：
FDD6630A的同系列产品：
FDD6630A FDD6680 FDD6670 FDD6690 FDD6692
FDD8896 FQD20N06 FDD2570 FDD2582 FDD2670
FDD3670 FDD3680 FDD3682 FDD3690 FDD5670
FDD5680 FDD5690 FDD6296 FDD6635 FDD6676
FDD8870 FDD8876 FDD8878 FQD10N20 FQD11P06
电子产品广泛用于：
FDD6630A的一般信息
数据列表 FDD6630A;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 PowerTrench
其它名称 FDD6630A-ND
FDD6630ATR
FDD6630A的规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 462pF @ 15V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 28W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 7.6A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
联系人：吴妙惠
电话：0755-23940365
传真：0755-88600656
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