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数据列表 SI4435DY
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
PCN 设计/规格 Mold Compound 12/Dec/2007
产品目录页面 1604 (CN2011-ZH PDF)
产品属性 选取全部项目
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1604pF @ 15V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 8.8A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
