AO4468的特征：
VDS (V) = 30V
ID = 11.6A (VGS = 10V)
RDS (ON) <14mΩ (VGS = 10V)
RDS (ON) <22mΩ (VGS = 4.5V)
AO4468的概述：
AO4468采用先进的沟槽技术，
提供优异的RDS（ON）和低栅极电荷。
该器件适用于负载开关或PWM应用。
源极引线被分开以允许与源极的开尔文连接，
其可以用于绕过源电感。
标准产品AO4468是无铅（符合ROHS和Sony 259规格）。
AO4468L是绿色产品订购选项。
AO4468和AO4468L电气相同。
AO4468的绝对最大额定值TA = 25°C，除非另有说明：
AO4468的一般信息
数据列表 AO4468;
SO8 Pkg Drawing;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
其它名称 785-1038-2
AO4468的规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 15V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 14 毫欧 @ 11.6A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
联系人：吴小姐
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