HS9-508BRH-Q抗辐射8通道CMOS模拟多路复用器具有过压保护在HS- 508BRH是一个介电隔离，辐射硬化， CMOS模拟多路复用器集成的重要的特点;它承受的模拟输入电压多少比供应大。这是在任何系统中必不可少当该模拟输入源自的设备以外。它们可承受连续输入高达10V大于无论是供应，从而消除损害时的可能性电源是关闭的，但输入信号都存在。一样重要的是，它可以承受短暂的输入瞬态尖峰几百伏;否则将需要复杂的外部保护网络。必要地，导通电阻是比同类未受保护的设备稍高，但很低漏电流结合起来，以产生低的错误。参考应用笔记520和521进一步在HS- 508BRH多路复用器中的一般信息。该HS- 508BRH一直具体来说，旨在满足暴露于辐射的环境中。经营范围：-55oC到125oC的保证。
模具特点模具尺寸120密耳X 93密耳×19密耳界面材料玻璃熔封类型：磷硅玻璃（ PSG ）厚度： 8Kű1kÅ顶级金属化类型： AlSiCu厚度： 16Kű2kÅ基板抗辐射硅栅介质隔离背面完成硅大会相关信息衬底电位无偏（ DI ）附加信息最坏情况下的电流密度6.68e04 A /厘米2晶体管数量506
