STL25N60M2-EP最新单价： $1.9683货期功能；全球(ST)意法半导体制造新品 N 沟道功率 MOSFET 采用 PowerFLAT™ 8x8 HV 封装，采纳 MDmesh™ M2 EP 性能增强技术开发而成。它采用带状布局，改善了垂直结构以降低导通电阻，优化了开关特性。还具有非常低关断开关损耗，因而适合用于要求高的高频转换器。
STL25N60M2-EP特性：
1》超低栅极电荷
2》优秀的输出电容（COSS）曲线
3》非常低的关断开关损耗
4》100% 经雪崩测试
5》齐纳保护
STL25N60M2-EP主要应用：
1》开关应用
2》适用于特高频
3》转换器 （f > 150kHz）
STL25N60M2-EP产品细节：
制造商 STMicroelectronics
RoHS 符合RoHS 详细信息
技术 Si
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerFLAT-8
通道数量 1 Channel
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 650 V
Id-连续漏极电流 16 A
Rds On-漏源导通电阻 206 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
Qg-栅极电荷 29 nC
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
封装 Reel
配置 Single
下降时间 16 ns
高度 0.9 mm
长度 8 mm
产品 Power MOSFET
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
类型 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 61 ns
典型接通延迟时间 15 ns
宽度 8 mm
出厂完整包装数量:3000/盘
产品出厂批次：1703+
库存数量：4500PCS
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