STW3N170是全球最新STM公司出品 N 通道 PowerMESH 功率 MOSFET 。设计采用了 STM 基于合并带状布局的 MESH OVERLAY™ 工艺。 此工艺可使先进的家用高压功率 MOSFET 获得优异的性能。 强化布局加上专有的边缘终端结构缔造了最低的单位面积 RDS(on) 、有着无与伦比的栅极电荷以及开关特性。
STW3N170特性：
1》100% 经雪崩测试
2》内在电容和 Qg 最小化
3》高速转换
4》完全隔离的 TO-3PF 塑料封装
5》TO-3PF 封装的爬电距离路径为 5.4 mm（典型值）
STW3N170应用：
开关应用
STW3N170参数功能解述：
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PF-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1700 V
Id-连续漏极电流: 2.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 13 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 44 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: 1 N-Channel
下降时间: 53 ns
Pd-功率耗散: 63 W
上升时间: 9 ns
系列: N-channel MDmesh
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 51 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
产品出厂批次：1706+
产品库存数量：2300PCS
产品完整包装数量：600/盘
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