SCT50N120是(ST)意法半导体最新出品 (SiC)碳化硅功率 MOSFET 具有针对 1200V 额定电压非常低的 RDS(on) 面积和出众的开关性能，从而打造出更有效、更紧凑的系统。 它们 有更高开关效率和工作频率， 与标准硅技术相比，具有最低的 Eoff。 内置体二极管有助于减小外形尺寸。 200ºC 的最大结温提高了系统效率和可靠性。
SCT50N120参数解述：
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: HiP247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 65 A
Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V to + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 122 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 200 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: 1 N-Channel
Pd-功率耗散: 318 W
晶体管类型: 1 N-Channel
SCT50N120特性：
1.开关损耗几乎不受温度影响，非常高的工作温度(200°C)
2.速度非常快且坚固的内置体二极管，低电容
3.易于驱动。
SCT50N120应用：
1.太阳能逆变器，UPS
2.电机驱动器
3.高压直流-直流转换器
4.开关电源
产品完整包装：600PCS
库存数量：4600PCS
产品年份批次：1632+
实物图片
联系我们：
我司长期代理STMicroelectronics大量原装现货，价格优势，原厂军工品质，假一罚十！欢迎订购！
您若对产品有任何疑问或希望得到进一步的了解，可以通过以下方式与我司业务部联络！
深圳市雷智腾电子进出口有限公司
联 系 人 ：朱泉先生
电 话：0755-83203913（6线）
手 机: 18038133932
商务QQ : 2024193491 2508472167
Email : wangli523@163.com
传 真：0755-22923452
深圳市龙岗区平湖街道平安大道开田科学园彩田大厦A栋
