深圳市汇创佳电子科技有限公司 0755-82545498 13538016218 QQ:531398920 朱先生
数据列表 IRLHS22422PbF
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
设计资源 IRLHS2242TR2PBF Saber Model
IRLHS2242TR2PBF Spice Model
特色产品 PQFN 2x2 Power MOSFETs
Data Processing Systems
PCN 组件/产地 Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
PCN 封装 Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
产品属性 选取全部项目
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.2A（Ta），15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 10µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 877pF @ 10V
Vgs（最大值） ±12V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），9.6W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 31 毫欧 @ 8.5A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 6-PQFN（2x2）
封装/外壳 6-PowerVDFN
