产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 16 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
商标: Infineon Technologies
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 4.8 ns
正向跨导 - 最小值: 94 S
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
Pd-功率耗散: 2.1 W
上升时间: 5.8 ns
系列: OptiMOS 3M
工厂包装数量: 5000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 3.3 mm
零件号别名: BSZ035N03MSGATMA1 BSZ035N03MSGXT SP000311511
