MT47H32M16BN-25E:D 品牌：MICRON 封装：FBGA84 年份：14+ 库存：9600
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Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
格式 - 记忆 RAM
Memory 型 DDR2 SDRAM
内存大小 512M (32Mx16)
速度 2.5ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 1.7 V ~ 1.9 V
操作温度 0°C ~ 85°C
包/盒 84-TFBGA
供应商器件封装 84-FBGA (8.0x12.5)
包装材料 Bulk
包装 84FBGA
类型 DDR2 SDRAM
密度 512 Mb
地址总线宽度 15 Bit
工作电源电压 1.8 V
最大时钟频率 800 MHz
最大随机存取时间 0.4 ns
工作温度 0 to 85 °C
标准包装 Bulk
安装 Surface Mount
包装宽度 8
组织 32Mx16
PCB 84
筛选等级 Commercial
地址总线宽度 15
典型工作电源电压 1.8
密度 512M
内部银行的数量 4
最低工作温度 0
供应商封装形式 FBGA
标准包装名称 BGA
最高工作温度 85
最大时钟频率 800
数据总线宽度 16
包装长度 12.5
最低工作电源电压 1.7
引脚数 84
最大工作电流 160
包装高度 0.8
最大随机存取时间 0.4
封装 Tray
每行字数 8M
最大工作电源电压 1.9
铅形状 Ball
单位包 0
最小起订量 1
格式 - 存储器 RAM
供应商设备封装 84-FBGA (8x12.5)
内存类型 DDR2 SDRAM
存储容量 512M (32M x 16)
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V
封装/外壳 84-TFBGA
接口 Parallel
速度 2.5ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
访问时间（最大） 0.4 ns
地址总线 15 b
工作温度范围 0C to 85C
包装类型 FBGA
工作温度分类 Commercial
电源电流 160 mA
弧度硬化 No
工作电源电压（典型值） 1.8 V
工作电源电压（最小值） 1.7 V
工作电源电压（最大值） 1.9 V
MT47H32M16HW-25E:G系列产品
型号 厂家 产品描述
MT47H32M16HW-25E:G TR Micron Technology DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R
MT47H32M16HW-25E AAT:G micron DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA
MT47H32M16HW-25E AIT:G micron DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA
MT47H32M16HW-25E AT:G micron DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
MT47H32M16HW-25E IT:F TR micron DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R
MT47H32M16HW-25E IT:G micron DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
MT47H32M16HW-25E IT:GTR Micron Technology DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R
MT47H32M16HW-25E:F ES micron 32MX16 DDR2 SDRAM PLASTIC FBGA 1.8V
MT47H32M16HW-3 AT:F micron DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
MT47H32M16HW-37E IT:F micron DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
MT47H32M16BN>B> micron DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
MT47H32M16BN-25:D Micron Technology DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
MT47H32M16BN-25:D TR Micron Technology DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R
MT47H32M16BN-25E IT:D Micron Technology DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
MT47H32M16BN-25E IT:D TR Micron Technology DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R
MT47H32M16BN-25E:D Micron Technology DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
MT47H32M16BN-25E:D TR Micron Technology DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R
MT47H32M16BN-3 IT:D Micron Technology DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
MT47H32M16BN-3 L:D Micron Technology DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
MT47H32M16BN-3 L:D TR Micron Technology DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R
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