产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 9.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 24.8 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: 1 N-Channel
开发套件: -
下降时间: 8.36 ns
正向跨导 - 最小值: -
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 31 W
上升时间: 5.6 ns
系列: CoolMOS CE
工厂包装数量: 500
商标名: CoolMOS
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 7.2 ns
零件号别名: IPA50R380CEXKSA2 SP001217228
单位重量: 6 g
