制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-88-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 295 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: ON Semiconductor
配置: Dual
下降时间: 32 ns
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 250 mW
上升时间: 34 ns
系列: NTJD5121N
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
宽度: 1.25 mm
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IGBT，可控硅整流桥模块：仙童（Fairchid）、MITSUBISHI（三菱）、东芝（Toshiba）、FUJI富士，SEMIKRON西门康、三社、三垦、IXYS（艾赛斯）、IR、EUPEC、ARTESYN、COSEL、SANREX、SANYO；
电阻：AVX、VISHAY、国巨、muRata村田、厚生、旺全、ROHM罗姆、TDK、风华；
电容：AVX、KEMET基美、VISHAY威世、YAGEO国巨、SAMSUNG三星、Skywell泽天、风华高科；
电感：VISHAY威世、muRata村田、YAGEO国巨、TAIYOYUDEN太诱、TDK、TOKO、TOREX特瑞仕、Sunlord顺络、 AEM、AVX；
晶振：muRata村田、EPSON、Sunlord顺络、Kyocera京瓷、台晶TXC、TDK、泰晶；
电解电容：黑金刚NCC、红宝石RUBYCON、尼吉康NICHICON、三洋SANYO、松下PANASONIC、三禾SAMWHA等系列铝电解电容；
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