STD12NF06LT4 晶体管

2016-8-19 14:26:00
  • 12 A, 60 V, 0.12 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252

端子数量: 2

最小击穿电压: 60 V

加工封装描述: ROHS COMPLIANT, DPAK-3

无铅 :Yes

欧盟RoHS规范: Yes

状态 :ACTIVE

包装形状: RECTANGULAR

包装尺寸: SMALL OUTLINE

表面贴装: Yes

端子形式: GULL WING

端子涂层: MATTE TIN

端子位置: SINGLE

结构: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

壳体连接; DRAIN

元件数量; 1

晶体管应用 :SWITCHING

晶体管元件材料 :SILICON

通道类型: N-CHANNEL

场效应晶体管技术: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

操作模式: ENHANCEMENT

晶体管类型 :GENERAL PURPOSE POWER

最大漏电流: 12 A

额定雪崩能量 :100 mJ

最大漏极导通电阻: 0.1200 ohm

最大漏电流脉冲: 48a

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