制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 20.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 95 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 6.4 ns
正向跨导 - 最小值: 17.5 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 208 W
上升时间: 15 ns
系列: SPP20N60
工厂包装数量: 500
商标名: CoolMOS
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 59 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: SP000681060 SPP20N60CFD SPP20N60CFDXK
单位重量: 6 g
