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IPP030N10N3 G 全新原装MOS管 INFINEON/英飞凌 IPP030N10N3G

2023-10-25 8:40:00
  • 家庭 FET - 单 制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ 包装 ? 管件 ? FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc) 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 100A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大

家庭 FET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 管件 ?

FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能 标准

漏源极电压(Vdss) 100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 100A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 275μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 206nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 14800pF @ 50V

功率 - 最大值 300W

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-220-3

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