厂商： SAMSUNG
功能：2M X 32 Synchronous DRAM, 5.5 ns, PDSO86
中文描述：2M x 32同步DRAM,5.5纳秒,PDSO86
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规格参数
出厂包装说明 TSOP2-86
状态 已终止
技术 CMOS
包装形状 矩形
封装形式 小外形,超薄,缩小间距
表面贴装 是
终端形式 海鸥
端子间距 0.5000 mm
终端涂层 未说明
终端位置 双
功能数量 1
端子数 86
包主体材料 塑料/环氧树脂
温度等级 商用
内存宽度 32
组织 2M X 32
存储密度 6.71E7 deg
操作模式 同步
字数 2.10E6 Words
字数代码 2M
最大工作温度 70℃
最小工作温度 0.0℃
电源电压 - 最大（Vsup） 3.6 V
电源电压最小值（Vsup） 3 V
电源电压标称值（Vsup） 3.3 V
访问模式 四组页突发
记忆体IC型号 同步DRAM
端口数 1
访问时间 - 最大（TRAC） 5.5 ns
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