描述：
CS2N60A3H，硅N沟道增强型VDMOSFETs，由自对准平面技术，降低传导损耗，提高切换性能和提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统的小型化和高效率。包装形式to-251，符合RoHS标准。
特点：
接近开关
低电阻（导通电阻≤4.5Ω）
低栅极电荷（典型的数据：8NC）
低的反向传输电容（典型：3.8pf）
00%单脉冲雪崩能量试验
应用：适配器和充电器的电源开关电路。
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