C2M0080120D
碳化硅功率MOSFET
C2MTM MOSFET技术
N沟道增强模式
特点
全新C2M SiC MOSFET技术
低导通电阻下的高阻断电压
具有高阻斷電壓與低導通電阻
便于并联，易于驱动
雪崩耐受性强
无卤素，符合RoHS规范
优势
更高的系统效率 更低的冷卻需求
更高的功率密度 更高的系统开关频率
应用
太阳能逆变器
高压DC/DC转换器
电动机
开关式电源
脉冲电源应用
最大额定值（除非另行指定，否则TC = 25 ˚C）
符号 参数 值 单位 测试条件 注
VDSmax 漏源电压 1200 V VGS = 0 V，ID = 100 μA
VGSmax 栅源电压 -10/+25 V 绝对最大值
VGSop 栅源电压 -5/+20 V 推荐工作值
ID 连续漏极电流
60
A
VGS = 20 V，TC = 25˚C
40 VGS = 20 V，TC = 100˚C
ID(pulse) 脉冲漏极电流 160 A 脉冲宽度t
P受Tjmax 限制
PD 耗散功率 330 W TC=25˚C，TJ
= 150 ˚C 图20
TJ
，Tstg 工作结温和储存温度 -55到
+150 ˚C
TL 焊接温度 260 ˚C 距外壳1.6mm，持续10秒
C2M0040120D
C2M0080120D
C3D16060D
深圳市正迈科技有限公司
TEL:18124078320
