英飞凌(INFINEON)宣布推出SiC(碳化矽)MOSFET技术，让产品设计达到较佳的功率密度和效能水平。该公司的CoolSiC MOSFET在提升效率与频率上，提供更高的灵活度，协助功率转换配置的开发人员达到节省空间和重量、减少冷却需求、提升可靠性并缩减系统成本。
SiC MOSFET功能的功率转换配置运作时所使用的切换频率，可达现今所使用之三倍或更高，其带来的好处能减少磁性元件和系统外壳制造材料中的铜与铝含量，有助于制造出更小及更轻的系统，以减少运输需求，也更容易安装。功率转换应用的设计人员更能创造出节能的新解决方案，并在全新范畴中运用效能、效率和系统弹性。
新款1200V SiC MOSFET经过优化能兼顾可靠性和效能。其运作时的动态损耗比 1200V Si IGBT降低了一个数量级，可从根本上更为优化的系统，应用包括：光电逆变器、不断电系统(UPS)或充电器/储存系统等，而之后也将延伸至工业马达应用。
该公司也同时推出采用SiC MOSFET技术的1200V Easy1B半桥式与升压器模组，由于结合PressFIT连线与良好的散热介面、极低的离散电感与坚固设计，因此每个模组皆提供11mΩ和23mΩ两种额定RDS(ON)选项。
